Химическое осаждение (PECVD & CVD) германида кремния (SiGe)

Оборудование: PlasmaProSystem 100/133

Технологические особенности:

• Реактор с двумя параллельными электродами;
• Реактивные газы - GeH₄, SiH₄;
• Скорость осаждения при PECVD процессе выше чем при CVD;
• Преимущество polySiGe над polySi в более низкой температуре перехода: 450°С по сравнению 580°С;
• Скорость осаждения: 50-200 нм/мин.

Слои SiGe, выращенные на SiO₂, при разных условиях.
На рисунке показан поликристаллический мультислой SiGe, выращенный при 450°С, который состоит из нескольких подслоев:

• 1 подслой - аморфный зародышевый SiGe толщиной 100 нм, осажденный PECVD способом, нужен чтобы избежать инкубационный период при осаждении на SiO₂;
• 2 подслой - кристаллический зародышевый SiGe, осажденный CVD способом, нужен для последующего низкотемпературного PECVD процесса роста;
• 3 подслой - поликристаллический SiGe.

Результаты:

• Сопротивление пленки 1 мОм*см;
• Контактное сопротивление SiGe/Al - 6x10^-6-10^-5 Ом*см²;
• Внутреннее напряжение - 5 МПа.

Зависимость сопротивления пленки от температуры отжига.