Глубокое травление Si с наклонными стенками

Глубокое травление Si с наклонными стенками, описание процесса и оборудование

Сквозное травление кремния (h=50 мкм) с настраиваемым наклоном стенок.



Оборудование:

PlasmaPro100
PlasmaProEstrelas

Особенности технологии:

  • реактивное ионное травление с применением источника индуктивно-связанной плазмы;
  • фторная химия;
  • гелиевый поддув под подложку.
    icp_r_ww.gif