Высокоскоростное сквозное глубокое травление SiC
Глубокое травления SiC (~ 100 мкм).
Оборудование: PlasmaPolaris100
Особенности технологии:
Реактивное анизотропное ионное травление SiC с применением источника индуктивно связанной плазмы (ICP)
процесс основан на фторной химии (SF6/O2)
Результаты:
Аспектное соотношение 6,5:1. Глубина травления 227 мкм, ширина канавки 35 мкм.
Селективность к Ni маске - 25:1.
Скорость травления - 1,2 мкм/мин (возможна более высокая скорость, но данная оптимальна для параметров селективности, гладкости стенок и угла их наклона).
Небольшой положительный наклон боковых стенок.
Гладкие боковые стенки.
В PlasmaPro Polaris возможно последовательное глубокое травление SiC, а затем травление GaN во фторной и хлорной химических средах соответственно. Рецепт содержит три этапа:
- Высокоскоростное (~1.2 мкм/мин) травление SiC.
- Низкоскоростное травление (~0.3 мкм/мин) SiC с высокой селективностью к GaN.
- Травление GaN.