Сверхвысокоскоростное PECVD нитрида кремния

Осаждение SiN со скоростью 200 нм/мин


Оборудование:

PlasmaPro100

Технология:

9dd526890a0c9a6930cd4495b4d1b10e.jpeg

Очистка камеры между процессами стандартной химией CF4/O2
Высокоскоростная очистка камеры для повышения производительности
Оптический эмиссионный спектрометр для определения конца очистки
Предпочтительна конфигурация с кассетной камерой (очистка камеры в период загрузки новой пластины)

Результаты:

Скорость нанесения до 0,5 мкм/мин
Равномерность +/- 3%
Рабочий газ — SiH4
Отличная воспроизводимость скоростей нанесения
Хорошей покрытие ступеней на структурах
Высокое качество пленок
Контроль поверхностного напряжения

7c1a8927931ede6a9f232a2798d1c240.jpeg