Skip

Атомно-слоевое осаждение нитрида кремния (SiNx) с применением удаленного источника плазмы



sinalda.gif

Атомно-эмиссионный анализ пленки Si3N3.4 c содержанием O2 (<3%) осажденной ALD методом

Технологические особенности осаждения:
  • металлический прекурсор: 3DMAS
  • неметаллический прекурсор: плазме N2H2
  • испарение при 40оС
  • доза прекурсора контролируется быстродействующей системой подачи газов
  • температура осаждения: 350° C
  • "околостехиометрическая" структура
  • 0.35 A/цикл (при 350°C и дозе насыщения)
  • содержание примесей: О<3%
  • коэффициент преломления: ~1.95
Оборудование: FlexAl & OpAl
ald.gif

sinald_t.gif
Зависимость толщины и показателя преломления от количества циклов