Skip

Атомно-слоевое осаждение оксида кремния (SiО2) с применением удаленного источника плазмы

Конформное осаждение SiO2 c применением удаленного источника плазмы, аспектное соотношение тренча 30:1


aloaldtc.gif

Атомно-эмиссионный анализ пленки SiO2, осажденной ALD методом

e5a9032ac0ff99fdc635dcf8041034f7.jpeg
Конформное осаждение SiO2 c применением удаленного источника плазмы, аспектное соотношение тренча 30:1

Технологические особенности осаждения:
  • прекурсор: BTBAS (либо 3DMAS и 2DEAS)
  • прекурсор в плазме: радикалы О и О2
  • барботирование при 35оС
  • доза прекурсора контролируется быстродействующей системой подачи газов
  • температура осаждения: 100 - 400° C
  • время цикла < 9c - для 200 мм подложки, для меньших подложек короче
  • 1.4 A/цикл (при 290°C и дозе насыщения) --> 9 A/мин --> более 56 нм/ч - для 200 мм подложки (быстрее для подложек меньших размеров)
  • равномерность: < ± (1-3) % (в зависимости от размеров подложки)
  • повторяемость < ± 1 %
  • содержание примесей: С<4% - при 400 оС
  • коэффициент преломления: ~1.42-1.44
  • соотношение Si:O равно 1:2
Оборудование: FlexAl & OpAl
ald.gif

sio2grc1.gifsiogrc2.gif
sioal_gr.gif
​Зависимости скорости осаждения пленок и коэффициента преломления от времени воздействия прекурсора (BTBAS).​Зависимости скорости осаждения пленок и коэффициента преломления от времени воздействия плазмы.
​Зависимости скорости осаждения пленок и коэффициента преломления от температуры осаждения.