Глубокое травление полиимида с применением ICP источника
Оборудование:
PlasmaPro80
PlasmaPro100
Особенности технологии:
- Реактивное ионное травление с применением источника индуктивно-связанной плазмы (ICP);
- Гелиевый поддув под подложку, нижний электрод - 13 МГц.
Результаты:
- Травление полиимида на 2-10 мкм:
- Травление полиимида на 2-10 мкм:
- Травление полиимида на 2-10 мкм:
Лаборатория OIPT: глубина 8 мкм, анизотропное травление полиимида с использованием силилированного фоторезиста:
- Скорость травления: >1,5 мкм/мин (3 мкм/мин с подтравом);
- Маски: Ti, Al, Cr, W или SiOxNy;
- Селективность к Ti маске: >30:1 (к фоторезисту на основе кремния >30:1);
- Равномерность: +/-3% по 100 мм подложке;
- Профиль стенок: анизотропный 89-90° (технологически контролируемый).