Реактивное травление алмаза (с применением ICP источника)
Анизотропное травление алмаза на глубину 5 мкм, со скоростью 50 нм/мин.
Оборудование:
PlasmaPro80
PlasmaPro100
Особенности технологии:
- Реактивное ионное травление с или без источника индуктивно-связанной плазмы;
- Реактор из параллельных пластин с частотой работы 13,56 МГц.
Результаты:
Лаборатория OIPT: анизотропное травление алмаза на глубину 5 мкм, на скорости 320 нм/мин, селективность к Cr маске > 35:1.
Лаборатория OIPT: анизотропное травление алмаза на глубину 40 мкм, на скорости 50 нм/мин, селективность к маскам Si/SiN > 1:1/2:1.