Skip

Наномасштабное и глубокое травление германия (Ge)

Королевский технологический институт, Стокгольм: решетка из Ge с полушагом 25 нм


Оборудование:
PlasmaPro100

Особенности технологии:
Реактивное ионное травление
частота работы реактора 13,56 МГц
с применением источника индуктивно-связанной плазмы (ICP)
ВЧ смещение на подложке

Результаты:
1. g7_01.jpg

Королевский технологический институт, Стокгольм: Ge решетка с полупериодом 25 нм

селективность к Ti маске >20:1
высота решетки 310 нм (аспектное соотношение 12,4:1)
процесс основан на хлорной химии с ICP источником, прерывистая подача газа

2.b0fba83997ffc4ee79e9fafd065c8ba2.jpeg
Королевский технологический институт, Стокгольм: Ge решетка с полупериодом 25 нм
Ni маска толщиной 60 нм (удалена)
высота решетки 150 нм 
процесс основан на фторной химии с ICP источником

3.g7_11.jpg
Лаборатория OIPT:
глубина травления структуры SiGe - 100 нм
скорость травления ~ 2.8 мкм/мин
угол наклона стенки 90(+/-)1о
селективность к фоторезисту ~ 30:1