Глубокое криотравление Si для МЭМС
Образец из лаборатории технического университета г. Твенте.
Оборудование: PlasmaPro100
Особенности технологии:
- низкое смещение на подложке для достижения высокой селективности;
- селективность к фоторезисту: 75 - 1000:1;
- селективность к SiO2: 150-1500:1;
- скорость травления 1 мкм/мин (с использованием ICP180);
- скорость может достигать 10 мкм/мин с источником плазмы ICP 380;
- равномерность < 3% по одной подложке.
В университете Твенте Plasmalab100 используется для криотравления Si в среде SF6/O2 при низких температурах и гелиевым поддувом. Преимущества низкотемпературного травления высокая селективность и отсутствие полимеров в техпроцессе, что позволяет достигать высокой анизотропии структуры.
Примеры процессов криотравления:
 |
 |
|---|---|
 |
 |