Ионно-лучевое травление ртутно-кадмиевого теллурида HgCdTe (CMT)

Травление HgCdTe (CMT) глубиной 10 мкм


Особенности технологии:
гелиевый поддув под подложку
вращающийся подложкодержатель
возможность изменять углы травления
ВЧ источник
filamentless PBN
Результаты:
скорость травления: 160 нм/мин
маска: фоторезист
равномерность: + 5%