Skip

Ионно-лучевое травление ртутно-кадмиевого теллурида HgCdTe (CMT)

Травление HgCdTe (CMT) глубиной 10 мкм 



Особенности технологии:
гелиевый поддув под подложку
вращающийся подложкодержатель
возможность изменять углы травления
ВЧ источник
filamentless PBN

Результаты:
скорость травления: 160 нм/мин
маска: фоторезист
равномерность: + 5%