Skip

Атомно-слоевое осаждение оксида гадолиния (Gd2O3) с применением удаленного источника плазмы




gdo_mit1.jpg

Зависимость скорости роста пленки Gd2O3, осажденной методом PE-ALD, от времени воздействия прекурсора (температура 250 и 300 ºC) 

Насыщение можно видеть для температуры 250 ºC, но не для 300 ºC

gdo_mit2.jpgЭквивалентные измерения толщины оксидных пленок (Gd2O3 и SiO2), полученных атомно-слоевым осаждением: толщина определенная из электрических характеристик пленки и эллипсометрическим методом по подложкам-свидетелям 

Особенности пленки Gd2O3

  • Материал с высокой диэлектрической постоянной с возможностью 50 кратного уменьшения тока утечки по сравнению с SiO
  • Осаждение в камере OpAL с прекурсором Gd(iPrCp)3и O2 плазмой 
  • Не определена зона насыщения при ALD процессе, хотя при 250 ºC заметно небольшое плато
  • Скорость роста 1.4 Å/цикл и R.I. - 1.80 
  • Диэлектрическая постоянная ~16
  • Уменьшение эквивалентной оксидной толщины приведено относительно SiO2