Атомно-слоевое осаждение оксида гадолиния (Gd2O3) с применением удаленного источника плазмы

Зависимость скорости роста пленки Gd₂O₃, осажденной методом PE-ALD, от времени воздействия прекурсора (температура 250 и 300ºC).
Насыщение можно видеть для температуры 250ºC, но не для 300ºC.

Эквивалентные измерения толщины оксидных пленок (Gd₂O₃ и SiO₂), полученных атомно-слоевым осаждением: толщина определенная из электрических характеристик пленки и эллипсометрическим методом по подложкам-свидетелям.

Особенности пленки Gd₂O₃:

• Материал с высокой диэлектрической постоянной с возможностью 50 кратного уменьшения тока утечки по сравнению с SiO;
• Осаждение в камере OpAL с прекурсором Gd(iPrCp)₃и O₂ плазмой;
• Не определена зона насыщения при ALD процессе, хотя при 250 ºC заметно небольшое плато;
• Скорость роста 1.4 Å/цикл и R.I. - 1.80;
• Диэлектрическая постоянная ~16;
• Уменьшение эквивалентной оксидной толщины приведено относительно SiO₂.