Атомно-слоевое осаждение нитрида титана (TiN) с применением удаленного источника плазмы

Атомно-слоевое осаждение нитрида титана с применением удаленного источника плазмы описание и оборудование

Фотография с просвечивающего электронного микроскопа (ТЕМ): Пленка TiN толщиной 110 A, осажденная методом ALD.

Производитель: Oxford Instruments Plasma Technology


SEM TiN ALD conformal coating
Конформное осаждение пленки TiN на поверхность глубокого тренча с увеличивающимся аспектным соотношением. Равномерная толщина покрытия в 40 нм на всей поверхности.

oa11.jpg
Покрытие TiN толщиной 50 нм, осажденное на поверхность тренча глубиной 100 мкм. Аспектное соотношение 300:1.

oa12.jpg
Покрытие TiN толщиной 50 нм на поверхности тренча (шероховатость присутствует из-за того, что травление проходило по технологии Бош-процесса).

Технологические особенности:

  • Прекурсор: TiCl4;
  • Плазмообразующие газы: N2/H2;
  • Temperature controlled vapour draw;
  • Доза прекурсора контролируется быстродействующей системой подачи газов;
  • Температура осаждения: 100-500°C;
  • Время цикла < 12с для пластины диаметром 200 мм (цикл короче для пластин меньшего диаметра ~9 c);
  • 0.33 A/цикл (при насыщенной дозе прекурсора);
  • 1.65 A/мин, 10 нм/час (для 200 мм подложки).

Результаты:

  • Равномерность: ±0.5%;
  • Сопротивление < 175 мкОм см (равномерность ±2%);
  • Качественный процесс при 350°C (550°C для получения аналогичного покрытия методом термического ALD);
  • Содержание Cl < 1%.

bd92fa16d760fa6fe7569546e0366f90.jpeg
Энергорассеивающая рентгеновская спектроскопия (EDS) пленки TiN расположенной внизу тренча Si пластины.

aldgrap2.gif
Зависимость толщины пленки наносящийся за цикл от концентрации прекурсора TiCl4 (подложка 200 мм).

tin_gpcp.gif
Рост пленки за цикл в зависимости от времени горения плазмы.

tin_pexp.gif
Зависимость содержания Cl в пленке и её сопротивления от времени горения плазмы. Чем больше время горения разряда, тем выше качество пленки.

Схематическое изображение самоограничивающихся этапов нанесения пленки нитрида титана (TiN):

​Шаг 1. Реакция с металлическим прекурсором ​Шаг 2. Продувка Шаг 3. Реакция с неметаллическим прекурсором​ Шаг 4. Продувка
954acf7d1e595059cd31ab0f5a8f367d.jpeg cfa453242f28db50d5a9e63b93a35b1b.jpeg d3eb64b39d0a56c1b8d4f75dee36f535.jpeg 79c3e7573460ed6d691b0601d2ba8a35.jpeg
7d2ee3f2106914c91798e6afd162d330.jpeg f707f3ef5866a06aa8192a2e81648501.jpeg