Травление Au, Pt, Ni физическим распылением

Лаборатория OIPT: травление золота на 0,5 мкм


0.5 µm Au sputter etch 1 µm Au sputter etch 120 nm Pt/Ti sputter etch 1.4 µm Ni sputter etch
Лаборатория OIPT: Травление золота (Au) 0.5 мкм Лаборатория OIPT: Травление золота (Au) 1 мкм ​Лаборатория OIPT: Травление платины (Pt) 0.12 мкм
и 400 нм ЦТС структуры (цирконат-титанат свинца) .
Фоторезист не удален.
​Лаборатория OIPT: Травление никеля (Ni) 1.4 мкм. Фоторезист не удален.

Травление в системах спроектированных для RIE (реактивное ионное травление) и ICP RIE (реактивное травление с применением индуктивно-связанной плазмы) процессов:

Pt > 10 нм/мин («RIE» в среде аргона)
Pt > 50 нм/мин («ICP» в среде аргона)
Au > 40 нм/мин («RIE» в среде аргона)
Au > 120 нм/мин («ICP» в среде аргона)
Ni > 8 нм/мин («RIE» в среде аргона)
селективность к фоторезистивной маске 1 : 1 (RIE)
равномерность «RIE» (загрузка в 12 пластин) < 7 %
равномерность «RIE» или «ICP»(по одной пластине 4″/ 6») < 4/5 %

В некоторых случаях (редко) физическое травление в реакторе с параллельными электродами (спроектированных для процессов RIE) предпочтительнее чем травление ионным пучком ввиду выгоды в производительности/стоимости продукции.

ptcletch.gif

Зависимость скорости травления платины Pt и селективноcти к SiO2 от температуры нижнего электрода.