Skip

Кремний (Si)


Оборудование:
PlasmalPro System 400
Количество магнетронов:до 4 при размере мишени 200 мм

Технологические особенности:

  • Магнетронное распыление
  • вращающийся столик
  • способ питания - импульсный постоянный ток

Результаты:

  • высокоскоростное осаждение аморфного Si - до 160 нм/мин в статическом режиме 
  • отличная адгезия
  • сжимающие внутренние напряжения 200-300 МПа
  • коэффициент преломления 4,5 +/- 0,1
s5_1.jpg
Спектры Рамана, характеризующие особенности аморфного кремния

s5_2.jpg
Коэффициент преломления Si остается постоянным при разных скоростях осаждения