Реактивное ионное травление ZnO с применением ИСП источника плазмы

Реактивное ионное травление ZnO с применением ИСП источника плазмы

Лаборатория OIPT, Яттон: глубина травления 1 мкм, наклон стенок 83°.



Технология:

  • Реактивное ионное травление с использованием источника индуктивно связанной плазмы (ICP-RIE);
  • Частота возбуждения плазмы 13 МГц;
  • Плазма горит между двумя параллельными пластинами.

Результаты:

  • Скорость травления: > 100 нм/мин;
  • Равномерность: +/-4%;
  • Возможные маски: SiO2, SiN, Ni или фоторезист.