Skip

Реактивное ионное травление ZnO с применением ИСП источника плазмы

лаборатория OIPT, Яттон: глубина травления 1 мкм, наклон стенок 83°


Технология:

Реактивное ионное травление с использованием источника индуктивно связанной плазмы (ICP - RIE)
Частота возбуждения плазмы 13 МГц
плазмы горит между двумя параллельными пластинами

Результаты:
скорость травления: > 100 нм/мин
равномерность: +/- 4 %
Возможные маски: SiO2, SiN, Ni или фоторезист.