Процессы травления карбида кремния (SiC)
Реактивное ионное травление SiC
Реактивное ионное травление SiC на глубину 200 нм.
Высокоскоростное травление SiC с применением ICP источника
Анизотропное травление SiC на глубину 4 мкм (Рейнско-Вестфальский технический университет Ахена).
Сквозное травление SiC
Пример изотропного травления SiC на глубину 3 мкм.
Высокоскоростное сквозное глубокое травление SiC
Глубокое травления SiC (~ 100 мкм).