Травление SiN с применением ICP плазмы

Травление SiN с применением ICP плазмы, описание процесса и оборудование

Лаборатория OIPT: анизотропное травление SiN глубиной 25 мкм.



Оборудование:

PlasmaPro80
PlasmaPro100

Особенности технологии:

  • реактивное ионное травление с применением источника индуктивно связанной плазмы (ICP) с частотой 13,56 МГц;
  • ВЧ управляемый нижний электрод;
  • контроль температуры нижнего электрода;
  • процесс с фторсодержащей плазмой.

Результаты:

  • скорость травления: 400 - 600 нм/мин;
  • селективность к фоторезисту: 5 1 (для изотропного процесса), 1,5 : 1 (для анизотропного процесса);
  • селективность к SiO2: 18:1 (для изотропного процесса), 4 : 1 (для анизотропного процесса);
  • селективность к металлической маске еще выше;
  • равномерность: < +/-5% (по 6" пластине);
  • анизотропное травление с гладкими стенками;
  • профиль стенок: 89-90°;
  • отсутствие плазменной очистки во время техпроцесса.

isotropic 5 µm deep SiN etch/
Лаборатория OIPT: изотропное травление SiN глубиной 5 мкм.