Травление (с ICP) гетероструктур GaAs/AlGaAs
Лаборатория OIPT: DBR гетероструктура GaAs/ AlGaAs, анизотропно протравленная на 6 мкм.
Схема чередующейся структуры:
Лаборатория OIPT: наклонная стенка в структуре GaAs/ AlGaAs, протравленной на 10 мкм.
Лаборатория OIPT: травление на 3 мкм в глубину с гладкими наклонными стенками.
- Скорость травления: 0.3-1 мкм/мин;
- селективность к фоторезисту > 3:1;
- селективность к SiO2 > 10:1 (для высокоскоростного анизотропного травления);
- малое смещение для минимизации повреждений подложки;
- контроль наклона стенок в пределах: 55-75°.