Травление InGaN/GaN с применением ICP источника

Технология:

• Реактивное ионное травление с использованием источника индуктивно связанной плазмы (13.56 МГц);
• Индуктивно связанная плазма;
• Поджиг плазмы при 13.56 МГц;
• Рабочий газ: на основе Cl;
• ВЧ управляемый нижний электрод.
  

Результаты:

• Скорость травления:0.1-1 мкм/мин;
• Селективность к SiO₂ маске более 5:1;
• Селективность к Ni маске более 20:1;
• Гладкие боковые стенки;
• Анизотропный профиль.

Анизотропное травление InGaN/GaN