Травление GaN с применением ICP источника

Травление GaN с применением ICP источника описание и оборудование

Лаборатория OIPT: анизотропное травление структуры AlGaN/GaN до подложки из сапфира.



sem_zx.jpg zx_17.jpg
лаборатория OIPT:
анизотропное травление галлиевой структуры, см. схему:
8dc307820f65ecfa212f07a914314fe9.gif
лаборатория OIPT:
травление GaN на глубину 3 мкм при скорости 2 мкм/мин
(1:1 селективность к фоторезисту)

 

Технология:

  • Реактивное ионное травление с использованием источника индуктивно связанной плазмы (13.56 МГц);
  • Поджиг плазмы при 13.56 МГц;
  • Рабочий газ: на основе Cl;
  • ВЧ управляемый нижний электрод.

icp_r_ww.gif

Результаты:

  • скорость травления: 0.15 - 0.7 мкм/мин;
  • селективность к SiO2 маске (8-10):1;
  • селективность к Ni маске 30:1;
  • селективность к фоторезисту (0.7-0.9):1;
  • равномерность: +/- 2% (по 2-ух дюймовой пластине);
  • анизотропный профиль;
  • гладкие боковые стенки.