Травление GaAs с применением индуктивно связанной плазмы (c ICP)
На главном рисунке изображена структура, изготовленная в собственной лаборатории OPT: DBR гетероструктура анизотропно протравленная на 10 мкм.
Скорость травления GaAs: до 2 мкм/мин.
Селективность:
- к фоторезистивной маске (30-100):1
- к SiO2 (50-200):1
Процесс проходит с малым ВЧ смещением на подложке, а значит подложка защищена от повреждений.
Лаборатория OIPT: DBR гетероструктура, анизотропно протравленная на 10 мкм.
Лаборатория OIPT: наклонная стенка структуры GaAs высотой 10 мкм.