Skip to content
|
info@technoinfo.ru
|
+7 499 270-66-26
Обратный звонок
Каталог
Новости
Проекты
Партнеры
Сервис
О компании
/
Каталог
/
Микро- и нано-электроника
/
Плазмохимическое и физическое травление и осаждение
/
Технологические процессы
/
Процессы химического осаждения покрытий из газовой фазы
/
Процессы плазмохимического осаждения нитрида кремния (SiN)
/
Химическое осаждение SiN для пассивации солнечных фотоэлементов
Химическое осаждение SiN для пассивации солнечных фотоэлементов
Навигация по записям
Конформное химическое осаждение SiN
Химическое осаждение (PECVD) аморфного кремния (a-Si)