Skip

Nanofab



Система для выращивание нанотрубок,нанопроводов и 2D структур плазмохимическим способом

запросить коммерческое предложение...запросить сервисную поддержку...

Системы предназначены для процессов выращивания наноструктур (нанотрубки и нанопровода), с контролируемыми параметрами роста. Nanofab также позволяет проводить процесс PECVD при стандартной и высокой температурах.

Технологические особенности системы:

  • настраиваемый процесс выращивания нанопроводов и нанотрубок с температурой процесса до 1200 °С;
  • скорость нагрева до 130оС/мин;
  • дополнительная система жидкостного нанесения меток роста;
  • охлаждаемые стенки и газовый душ обеспечивают равномерную доставку прекурсора;
  • проведение процесса PECVD (осаждение оксидов, нитридов, оксинитридов);
  • наличие загрузочного шлюза;
  • распределение поля температур по пластине около 1оС;
  • размер подложек от малых образцов произвольной формы до пластин диаметром 200 мм;
  • возможность установки эллипсометра и/или эмиссионного спектрометра;
  • опционально - смещение на подложке;
  • возможность объединяться в кластер с другими системами OIPT.
Возможен рост или осаждение следующих наноструктурированных материалов:
C, Si, Ge, ZnO, GaO, SiC, GaN, GaAs, GaP, InP, ZnS, InN

C помощью Nanofab можно получать следующие 2D материалы:

604f8b547552d0dd8449a4ccb43ed0e1.jpeg

- выращивание углеродных нанотрубок: https://technoinfo.ru/catalog/list/180

6127a0ddd5315cdefa6c4c5db13fa6ff.jpeg

- выращивание Si нанопроводов: https://technoinfo.ru/catalog/488

nw12.jpg