​Высококачественное PECVD SiO2 c удаленной плазмой

​Высококачественное PECVD SiO2 c удаленной плазмой


Рейнско-Вестфальский технический университет Ахена использовал кластерную систему PlasmaProSystem100 для осаждения высококачественного диоксида кремния в МОП-транзисторах, а также для пассивации с помощью источника индуктивно-связанной плазмы (ICP). Технологический процесс был оптимизирован так, чтобы пленки имели улучшенные электрические характеристики и конформно покрывали поверхность.