Травление GaN с применением ICP источника

​
лаборатория OIPT: анизотропное травление галлиевой структуры, см. схему:	лаборатория OIPT: травление GaN на глубину 3 мкм при скорости 2 мкм/мин (1:1 селективность к фоторезисту)

Технология:

• Реактивное ионное травление с использованием источника индуктивно связанной плазмы (13.56 МГц);
• Поджиг плазмы при 13.56 МГц;
• Рабочий газ: на основе Cl;
• ВЧ управляемый нижний электрод.

Результаты:

• скорость травления: 0.15 - 0.7 мкм/мин;
• селективность к SiO₂ маске (8-10):1;
• селективность к Ni маске 30:1;
• селективность к фоторезисту (0.7-0.9):1;
• равномерность: +/- 2% (по 2-ух дюймовой пластине);
• анизотропный профиль;
• гладкие боковые стенки.