Процессы ионно-лучевого травления GaAs, InP

Травление структур GaAs/AlGaAs для наклонных лазерных фасет.

Изображение с СЭМ текстурированной подложки структуры InGaAs/InP перед техпроцессом роста: вытравленный гребень оринтирован как (011).