Атомно-слоевое осаждение оксида титана (TiO2)
Атомно-слоевое осаждение оксида титана (TiO2) с применением удаленного источника плазмы
Пленка TiO2 толщиной 300 нм, осажденная методом ALD в установке OpAL
Пленка TiO2 толщиной 300 нм, осажденная методом ALD в установке OpAL