Установка PlasmaPro100 ICP Etch
Установка PlasmaPro100 ICP Etch — это система для сухого травления с высокой скоростью в индуктивно-связанной плазме.
Источник индуктивно-связанной плазмы обеспечивает высокую плотность заряженных частиц при низком давлении. Смещение потенциала на подложке независимо регулируется отдельным ВЧ генератором, позволяющим контролировать энергию ионов в зависимости от требований техпроцесса.
Рабочие камеры доступны как обособленные модули со шлюзовой камерой, так и в кластерной конфигурации с гексагональной или квадратной трансферной камерой.
Технологические особенности системы:
- модуль Cobra системы PlasmaPro System100 Cobra ICP Etch доставляет реактивные частицы к подложке, путем создания равномерного высокопроводящего канала в объеме камеры, таким образом обеспечивая мощный поток заряженных частиц к подложке при поддержке общего низкого давления;
- совместимость с пластинами диаметром от 50 мм до 200 мм или держателями пластин оригинальной формы;
- система поставляется с источниками индуктивно-связанной плазмы диаметрами 65, 180 и 300 мм;
- доступны нижние электроды с диапазоном температур от -150 ºC до +400 ºC с гелиевым поддувом под подложку и механическим держателем пластин;
- регулируемая высота электрода может помещать подложку в разные области плазменного разряда, что позволяет обрабатывать пластины толщиной до10 мм на оптимальной высоте;
- оптимизированное оборудование и управление для обеспечения процессов, требующих быстрого согласования,например Bosch-процесс.
- крио-травление Si, Bosch-процессы глубокого травления Si и SOI для MEMS-структур, микропневматики и фотоники;
- процессы травления соединений A3B5 для огранки лазеров, формирования переходных отверстий, кристаллов для фотоники и многих других приложений в широком спектре материалов (InP, InSb, InGaAsP, GaAs, AlGaAs, GaN, AlGaN и т.д.);
- пилотные запуски партий и опытно-конструкторские процессы на GaN, AlGaN и т.д.;
- травление для сверхъярких светодиодов и прочих мощных устройств;
- Травление металлов (Nb, W).
- возможность нагрева боковых стенок;
- электростатическое экран, обеспечивающий уменьшенное повреждение подложки ионами и уменьшение емкостной связи;
- электростатический подложкодержатель;
- определение конечной точки травления с помощью лазерного интерферометра и/или оптико-эмиссионного спектрометра.