Skip

PlasmaPro100 Cobra ICP Etch



Система для сухого травления с высокой скоростью в индуктивно-связанной плазме.

запросить коммерческое предложение...запросить сервисную поддержку...

Источник индуктивно-связанной плазмы обеспечивает высокую плотность заряженных частиц при низком давлении. Смещение потенциала на подложке независимо регулируется отдельным ВЧ генератором, позволяющим контролировать энергию ионов в зависимости от требований техпроцесса.

Рабочие камеры доступны как обособленные модули со шлюзовой камерой, так и в кластерной конфигурации с гексагональной или квадратной трансферной камерой.

Технологические особенности системы:
  • модуль Cobra системы PlasmaPro System100 Cobra ICP Etch доставляет реактивные частицы к подложке, путем создания равномерного высокопроводящего канала в объеме камеры, таким образом обеспечивая мощный поток заряженных частиц к подложке при поддержке общего низкого давления
  • совместимость с пластинами диаметром от 50 мм до 200 мм или держателями пластин оригинальной формы
  • система поставляется с источниками индуктивно-связанной плазмы диаметрами 65, 180 и 300 мм
  • доступны нижние электроды с диапазоном температур от -150 ºC до +400 ºC с гелиевым поддувом под подложку и механическим держателем пластин
  • регулируемая высота электрода может помещать подложку в разные области плазменного разряда, что позволяет обрабатывать пластины толщиной до10 мм на оптимальной высоте
  • оптимизированное оборудование и управление для обеспечения процессов, требующих быстрого согласования,например Bosch-процесс

• крио-травление Si, Bosch-процессы глубокого травления Si и SOI для MEMS-структур, микропневматики и фотоники
• процессы травления соединений A3B5 для огранки лазеров, формирования переходных отверстий, кристаллов для фотоники и многих других приложений в широком спектре материалов (InP, InSb, InGaAsP, GaAs, AlGaAs, GaN, AlGaN и т.д.)
• пилотные запуски партий и опытно-конструкторские процессы на GaN, AlGaN и т.д..
• травление для сверхъярких светодиодов и прочих мощных устройств.
• Травление металлов (Nb, W).

  • возможность нагрева боковых стенок
  • электростатическое экран, обеспечивающий уменьшенное повреждение подложки ионами и уменьшение емкостной связи
  • электростатический подложкодержатель
  • определение конечной точки травления с помощью лазерного интерферометра и/или оптико-эмиссионного спектрометра