Выращивание наноразмерных структур

Технологическое решение выращивания наноструктурных материалов.

Наноструктурированность может быть достигнута как технологиями осаждения (‘bottom up’), так и травления (‘top down’). Система Nanofab ориентирована на технологию осаждения (роста). Под процессом роста наноразмерных структур включает подразумевается рост нанотрубок/нанопроводов и нанопленок.

Преимущества процесса:

• Контролируемый рост нанотрубок и нанопроводов;
• Обработка плазмой катализаторов реакции для улучшенного роста;
• Возможность отжига до 1200°C;
• Возможность осаждения большого количества PECVD пленок с отличной равномерностью, высокой скоростью осаждения, и контролем свойств пленок, таких как коэффициент преломления, внутреннее напряжение, электрические характеристики, скорость сухого химического травления;
• Наноструктурированные материалы: C, Si, Ge, ZnO, Ga2O3, GaN, GaAs, GaP, InP, InN;
• PECVD пленки: SiO₂, SiNx, a-Si, SiON, poly-Si, SiC.