Ионно-лучевое напыление (IBD)

Ионно-лучевая технология напыления позволяет осаждать тонкие пленки с помощью пучка положительно заряженных ионов в условиях глубокого вакуума. Для травления ионный пучок направляют на подложку, создавая определенный рисунок. Для осаждения ионный пучок распыляет мишень, расположенную так, чтобы распыленный материал осаждался на заданную подложку. Свойства осаждаемых пленок будут зависеть от свойства распыляемой мишени, от параметров распылительного ионного пучка (поток, энергия и др.) и от взаимного расположения источника ионов, мишени и подложки.

Преимущества ионно-лучевого осаждения (IBD):

• Позволяет независимо контролировать поток ионов и энергию пучка;
• Процесс проходит при низких рабочих давлениях;
• Хорошо контролируемая стехиометрия для большого количества материалов;
• Уменьшается количество паразитных включений в осаждаемых пленках;
• Дает возможность осаждать высококачественные оптические и другие пленки на очень гладкой поверхности.