Skip

Выращивание наноразмерных структур (Nanoscale Growth)



запросить коммерческое предложение...запросить сервисную поддержку...

Технологическое решение выращивания наноструктурных материалов.
Наноструктурированность может быть достигнута как технологиями осаждения (‘bottom up’), так и травления (‘top down’). Система Nanofab ориентирована на технологию осаждения (роста). Под процессом роста наноразмерных структур включает подразумевается рост нанотрубок/нанопроводов и нанопленок.
Преимущества процесса

  • контролируемый рост нанотрубок и нанопроводов
  • обработка плазмой катализаторов реакции для улучшенного роста 
  • возможность отжига до 1200°C
  • возможность осаждения большого количества PECVD пленок с отличной равномерностью, высокой скоростью осаждения, и контролем свойств пленок, таких как коэффициент преломления, внутреннее напряжение, электрические характеристики, скорость сухого химического травления  
  • наноструктурированные материалы: C, Si, Ge, ZnO, Ga2O3, GaN, GaAs, GaP, InP, InN
  • PECVD пленки: SiO2, SiNx, a-Si, SiON, poly-Si, SiC
23214178b622f1aa332eef606307e38f.jpeg

Системы для выращивания наноструктур: Nanofab