Плазмохимическое осаждение из газовой фазы (PECVD)

Основные особенности PECVD технологии:

• К верхнему электроду подведено ВЧ напряжение (МГц или кГц);
• Смещение на нижнем электроде (подложке) отсутствует;
• Подложка располагается непосредственно на нижнем электроде;
• Газ поступает в систему через газовый душ, подключенный к верхнему электроду;
• Рабочее давление 0.5-1.0 Торр;
• Плотность мощности 0.02-0.1 Вт/см².

Преимущества PECVD технологии:

• Более низкая температура процесса по сравнению с традиционными CVD процессами;
• Внутренние напряжения пленок могут контролироваться путем варьирования частоты плазменного разряда;
• Процесс сухой очистки с контролем конечной точки позволяет уменьшить потребность в физической/химической чистке камеры;
• Контроль за стехиометрией пленок через параметры процесса;
• Широкий диапазон осаждаемых материалов, включая SiOx, SiNx и SiOxNy, для самых разных применений - фотонные структуры, пассивация, твердые маски и др.;
• Осаждение аморфного кремния (a-Si:H);
• Осаждение SiC;
• Осаждение DLC покрытий;
• TEOS SiO2 with conformal step coverage, or void-free good step coverage.

Технология плазмохимического осаждения из газовой фазы позволяет варьировать свойства получаемых пленок за счет изменения состава газовой смеси, температуры подложки и условий ионной бомбардировки.