Атомно-слоевое осаждение (ALD)

Atomic Layer Deposition (ALD) - реальная нанотехнология, позволяющая осаждать ультратонкие пленки в несколько нанометров с очень точным контролем.

Существует две основные особенности атомно-слоевого осаждения:

1. Самоограничивающийся послойный рост пленки.
2. Высококонформное осаждение пленки.

Эти особенности являются огромным подспорьем в полупроводниковой инженерии, МЭМС технологиях и других применениях.

Преимущества ALD

Так как во время процесса ALD за каждый технологический цикл осаждается один монослой, то контроль за процессом осаждения происходит в нанометровом масштабе. Стоит отметить, что:

• Конформное осаждение достигается даже при высоком аспектном соотношении и сложной структуре;
• ALD пригодно для широкого спектра материалов:
  • Оксиды: Al₂O₃, HfO₂, SiO₂, TiO₂, SrTiO₃, Ta₂O₅, Gd₂O₃, ZrO₂, Ga₂O₃, V₂O₅, Co₃O₄, ZnO, ZnO:Al, ZnO:B, In₂O₃:H, WO₃, MoO₃, Nb₂O₅, NiO, MgO, RuO₂;
  • Фториды: MgF₂, AlF₃;
  • Органически-гибридные материалы: Alucone;
  • Нитриды: TiN, TaN, Si₃N₄, AlN, GaN, WN, HfN, NbN, GdN, VN, ZrN;
  • Металлы: Pt, Ru, Pd, Ni, W;
  • Сульфиды: ZnS.

Особенности систем атомно-слоевого осаждения от Oxford Plasma