Плазмохимическое осаждение из газовой фазы (PECVD)



Основные особенности PECVD технологии:

  • К верхнему электроду подведено ВЧ напряжение (МГц или кГц);
  • Смещение на нижнем электроде (подложке) отсутствует;
  • Подложка располагается непосредственно на нижнем электроде;
  • Газ поступает в систему через газовый душ, подключенный к верхнему электроду;
  • Рабочее давление 0.5-1.0 Торр;
  • Плотность мощности 0.02-0.1 Вт/см2.

Преимущества PECVD технологии:

  • Более низкая температура процесса по сравнению с традиционными CVD процессами;
  • Внутренние напряжения пленок могут контролироваться путем варьирования частоты плазменного разряда;
  • Процесс сухой очистки с контролем конечной точки позволяет уменьшить потребность в физической/химической чистке камеры;
  • Контроль за стехиометрией пленок через параметры процесса;
  • Широкий диапазон осаждаемых материалов, включая SiOx, SiNx и SiOxNy, для самых разных применений - фотонные структуры, пассивация, твердые маски и др.;
  • Осаждение аморфного кремния (a-Si:H);
  • Осаждение SiC;
  • Осаждение DLC покрытий;
  • TEOS SiO2 with conformal step coverage, or void-free good step coverage.

Технология плазмохимического осаждения из газовой фазы позволяет варьировать свойства получаемых пленок за счет изменения состава газовой смеси, температуры подложки и условий ионной бомбардировки.