Skip

Плазмохимическое осаждение из газовой фазы (PECVD)



запросить коммерческое предложение...запросить сервисную поддержку...

Основные особенности PECVD технологии:

  • к верхнему электроду подведено ВЧ напряжение (МГц или кГц);
  • смещение на нижнем электроде (подложке) отсутствует;
  • подложка располагается непосредственно на нижнем электроде;
  • газ поступает в систему через газовый душ, подключенный к верхнему электроду;
  • рабочее давление 0.5-1.0 Торр;
  • плотность мощности 0.02-0.1 Вт/см2.

Преимущества PECVD технологии:

  • более низкая температура процесса по сравнению с традиционными CVD процессами
  • внутренние напряжения пленок могут контролироваться путем варьирования частоты плазменного разряда
  • процесс сухой очистки с контролем конечной точки позволяет уменьшить потребность в физической/химической чистке камеры
  • контроль за стехиометрией пленок через параметры процесса
  • широкий диапазон осаждаемых материалов, включая SiOx, SiNx и SiOxNy, для самых разных применений - фотонные структуры, пассивация, твердые маски и др.
  • осаждение аморфного кремния (a-Si:H)
  • осаждение SiC
  • осаждение DLC покрытий
  • TEOS SiO2 with conformal step coverage, or void-free good step coverage

Технология плазмохимического осаждения из газовой фазы позволяет варьировать свойства получаемых пленок за счет изменения состава газовой смеси, температуры подложки и условий ионной бомбардировки.