Skip

Ионно-лучевое травление (Ion Beam Etching (IBE))



запросить коммерческое предложение...запросить сервисную поддержку...

Ионно-лучевая технология позволяет травить тонкие пленки с помощью пучка положительно заряженных ионов в условиях глубокого вакуума.

Для травления ионный пучок направляют на подложку, создавая определенный рисунок. Для осаждения ионный пучок распыляет мишень, расположенную так, чтоб распыленный материал осаждался на заданную подложку. Свойства осаждаемых пленок будут зависеть от свойства распыляемой мишени, от параметров распылительного ионного пучка (поток, энергия и др.) и от взаимного расположения источника ионов, мишени и подложки.

Преимущества ионного травления (IBE):

  • позволяет независимо контролировать поток ионов и энергию пучка
  • процесс проходит при низких рабочих давлениях
  • обеспечивает анизотропное травление
  • обеспечивает травление всех известных материалов
  • позволяет контролировать профиль/боковые стенки тренча путем изменения угла пучка относительно обрабатываемой поверхности

18a84b8df3dcdcefe7121c274106885b.jpeg