Атомно-слоевое осаждение (ALD)

Атомно-слоевое осаждение (Atomic Layer Deposition (ALD)), описание процессов и оборудование

Atomic Layer Deposition (ALD) — реальная нанотехнология, позволяющая осаждать ультратонкие пленки в несколько нанометров с очень точным контролем. Основные особенности и преимущества технологии.



Atomic Layer Deposition (ALD) - реальная нанотехнология, позволяющая осаждать ультратонкие пленки в несколько нанометров с очень точным контролем.

Существует две основные особенности атомно-слоевого осаждения:

  1. Самоограничивающийся послойный рост пленки.
  2. Высококонформное осаждение пленки.

Эти особенности являются огромным подспорьем в полупроводниковой инженерии, МЭМС технологиях и других применениях.

Преимущества ALD

Так как во время процесса ALD за каждый технологический цикл осаждается один монослой, то контроль за процессом осаждения происходит в нанометровом масштабе. Стоит отметить, что:

  • Конформное осаждение достигается даже при высоком аспектном соотношении и сложной структуре;
  • ALD пригодно для широкого спектра материалов:
    • Оксиды: Al2O3, HfO2, SiO2, TiO2, SrTiO3, Ta2O5, Gd2O3, ZrO2, Ga2O3, V2O5, Co3O4, ZnO, ZnO:Al, ZnO:B, In2O3:H, WO3, MoO3, Nb2O5, NiO, MgO, RuO2;
    • Фториды: MgF2, AlF3;
    • Органически-гибридные материалы: Alucone;
    • Нитриды: TiN, TaN, Si3N4, AlN, GaN, WN, HfN, NbN, GdN, VN, ZrN;
    • Металлы: Pt, Ru, Pd, Ni, W;
    • Сульфиды: ZnS.

Особенности систем атомно-слоевого осаждения от Oxford Plasma

f2fb03bf973237bb0f5eb5573ac83784.jpeg

[:ru]

Оборудование для процессов плазменного и термического атомно-слоевого осаждения: — со шлюзовой загрузкой: FlexALс ручной загрузкой: OpAL

[:en]

Оборудование для процессов плазменного и термического атомно-слоевого осаждения:

со шлюзовой загрузкой: FlexAL

с ручной загрузкой: OpAL

[:]