Skip

Атомно-слоевое осаждение (Atomic Layer Deposition (ALD))



Atomic Layer Deposition (ALD) - реальная нанотехнология, позволяющая осаждать ультратонкие пленки в несколько нанометров с очень точным контролем. Основные особенности и преимущества технологии

запросить коммерческое предложение...запросить сервисную поддержку...

Atomic Layer Deposition (ALD) - реальная нанотехнология, позволяющая осаждать ультратонкие пленки в несколько нанометров с очень точным контролем. Здесь вы можете найти примеры технологических процессов атомно-слоевого осаждения.

Существует 2 основные особенности атомно-слоевого осаждения:

1. Самоограничивающийся послойный рост пленки

2. Высококонформное осаждение пленки

Эти особенности являются огромным подспорьем в полупроводниковой инженерии, МЭМС технологиях и других применениях.

Преимущества ALD:

Так как во время процесса ALD за каждый технологический цикл осаждается один монослой, то контроль за процессом осаждения происходит в нанометровом масштабе:

Стоит отметить, что:
- конформное осаждение достигается даже при высоком аспектном соотношении и сложной структуре
- ALD пригодно для широкого спектра материалов:

  • Оксиды: Al2O3, HfO2, SiO2, TiO2, SrTiO3, Ta2O5, Gd2O3, ZrO2, Ga2O3, V2O5, Co3O4, ZnO, ZnO:Al, ZnO:B, In2O3:H, WO3, MoO3, Nb2O5, NiO, MgO, RuO2
  • Фториды: MgF2, AlF3
  • Органически-гибридные материалы: Alucone
  • Нитриды: TiN, TaN, Si3N4, AlN, GaN, WN, HfN, NbN, GdN, VN, ZrN
  • Металлы: Pt, Ru, Pd, Ni, W
  • Сульфиды: ZnS
Особенности систем атомно-слоевого осаждения от Oxford Plasma:
f2fb03bf973237bb0f5eb5573ac83784.jpeg

Оборудование для процессов плазменного и термического атомно-слоевого осаждения:

- со шлюзовой загрузкой: FlexAL

- с ручной загрузкой: OpAL