Skip

Vion Plasma FIB



Фокусированный ионный пучок с источником на основе зарядово-связанной плазмы Xe(+). Удаление материала до 20 раз быстрее по сравнению с традиционным Ga FIB.

запросить коммерческое предложение...запросить сервисную поддержку...

FEI Vion™ Plasma Focused Ion Beam System (PFIB) - фокусированный ионный пучок с источником на основе зарядовосвязанной плазмы Xe(+), обеспечивающей быстродействие при удалении материала, более чем в 20 раз превышающее традиционный Ga фокусированный ионный пучок. Этот производительный инструмент способен создавать прецизионные поперечные срезы в точно выбранном месте на поверхности образца, выполнять пробоподготовку образцов для TEM и SEM. Используя низкий ток ионного пучка Vion позволяет получать изображения поверхности образца с высоким разрешением и с высоким контрастом.

Vion PFIB для задач материаловедения

Благодаря высокому контрасту каналирования Vion особенно хорош при работе с металлами, композитными материалами и покрытиями. Стоит перечислить основные материаловедческие задачи, с которыми Vion справляется быстро и результативно

  • Подготовка поперечных сечений площадью до нескольких сотен микрон в точно указанном месте с возможностью одновременного наблюдения за образцом в реальном времени.
  • Быстрое удаление материала без потери качества даже для плохо распыляемых материалов, таких как сталь
  • Подготовка образцов для микромеханических испытаний с высокой точностью и воспроизводимостью.
  • Подготовка поперечных срезов в заданном месте на поверхности образца для исследования методом дифракции обратно-рассеянных электронов (EBSD)
  • Подготовка образцов для TEM и SEM с контролем качества благодаря разрешению < 30 нм

Vion PFIB для микроэлектроники

Vion plasma FIB способен производить быстрое и точное удаление материала образца. Вы можете с его помощью вырезать в образце окна по заранее заданному шаблону, чтобы добраться до проблемного места вашей микросхемы. Дополнительно Vion способен также проводить локальное осаждение материала (диэлектрика и проводника) в точно заданном месте по выбранному шаблону, что позволяет производить отладку микросхемы и исправлять дефекты без необходимости изменения масок и технологического процесса. К основным решаемым в микроэлектронике при помощи Vion Plasma FIB задачам относятся следующие:

  • Исследование качества контактов, переходных отверстий в кремнии (TSV)
  • Хирургически точное удаление корпусного материала микроэлектронного устройства для доступа к микросхеме, локализации и исследования проблемных мест
  • Отладка технологических процессов, выявление слабых мест
  • Анализ дефектов и отказов микромеханических (MEMS) структур
  • Анализ многослойных микросхем
  • Отладка микросхем с помощью модификации соединений между отдельными компонентами