Новости технологий: Oxford Instruments Plasma Technology предлагает вниманию своих клиентов новую технологию – Atomic Layer Etching (ALE) или атомно-слоевое травление

[:ru]

Oxford Instruments Plasma Technology предлагает вниманию своих клиентов новую технологию – Atomic Layer Etching (ALE) или атомно-слоевое травление.
Как и атомно-слоевое осаждение(ALD), ALE — это циклический самолимитирующийся процесс. Эта уникальная технология дает возможность контролируемо травить ультратонкие пленки толщиной единицы нанометров, осажденные на структуры с высоким аспектным соотношением. Атомно-слоевое травление становится сверхактуально в условиях развития технологий осаждения и увеличения номенклатуры 2D материалов.

Этот процесс может быть осуществлен в системе PlasmaPro100 с источником плазмы типа Cobra. Но помимо этого, установка должна быть оснащена быстродействующей системой подачи газа и высокопроизводительной системой откачки – для быстрой смены среды в камере, а также возможностью проводить процессы с ультра низкой энергией

Схема процесса атомно-слоевого травления на примере травления кремния представлена на главном рисунке.

4d6911960a0d4fc96eeead90f18e1b0f.jpeg
Пример ALE кремния (фотография с SEM). Глубина тренчей 110 нм, ширина 25 нм, маска HSQ не удалена.

[:en]

Oxford Instruments Plasma Technology предлагает вниманию своих клиентов новую технологию – Atomic Layer Etching (ALE) или атомно-слоевое травление.
Как и атомно-слоевое осаждение(ALD), ALE — это циклический самолимитирующийся процесс. Эта уникальная технология дает возможность контролируемо травить ультратонкие пленки толщиной единицы нанометров, осажденные на структуры с высоким аспектным соотношением. Атомно-слоевое травление становится сверхактуально в условиях развития технологий осаждения и увеличения номенклатуры 2D материалов.

Этот процесс может быть осуществлен в системе PlasmaPro100 с источником плазмы типа Cobra. Но помимо этого, установка должна быть оснащена быстродействующей системой подачи газа и высокопроизводительной системой откачки – для быстрой смены среды в камере, а также возможностью проводить процессы с ультра низкой энергией

Схема процесса атомно-слоевого травления на примере травления кремния представлена на главном рисунке.

4d6911960a0d4fc96eeead90f18e1b0f.jpeg
Пример ALE кремния (фотография с SEM). Глубина тренчей 110 нм, ширина 25 нм, маска HSQ не удалена.

[:]