Компания Oxford Plasma Technology анонсировала новый прибор CrystalFlex

[:ru]

Новый прибор Crystal Flex основан на методе эпитаксии из паровой фазы гидридов (HVPE). HVPE реактор с возможностью поточной загрузки пластин гарантирует высочайшую степень контроля эпитаксиального роста и предлагает эффективный метод производства высококачественных бездефектных эпитаксиальных монокристаллов GaN, AlGaN, AlN

[:en]

Новый прибор Crystal Flex основан на методе эпитаксии из паровой фазы гидридов (HVPE). HVPE реактор с возможностью поточной загрузки пластин гарантирует высочайшую степень контроля эпитаксиального роста и предлагает эффективный метод производства высококачественных бездефектных эпитаксиальных монокристаллов GaN, AlGaN, AlN

[:]