Микро- и нано-электроникаАнализ поверхностиИсследование структуры и химического составаБиология и биотехнологияГеология и петрофизикаТехнологическое оборудование
GaAs, InP
Ионно-лучевое травление с химическим ассистированием структуры GaAs/AlGaAs
Травление структур GaAs/AlGaAs для наклонных лазерных фасет.
Ионно-лучевое травление с химическим ассистированием структуры InGaAs/InP
Изображение с СЭМ текстурированной подложки структуры InGaAs/InP перед техпроцессом роста: вытравленный гребень оринтирован как (011).