Skip

Процессы травления карбида кремния (SiC)

Реактивное ионное травление SiC

Реактивное ионное травление SiC на глубину 200 нм

Высокоскоростное травление SiC с применением ICP источника

Анизотропное травление SiC на глубину 4 мкм (Рейнско-Вестфальский технический университет Ахена)

Сквозное травление SiC

Пример изотропного травления SiC на глубину 3 мкм