Skip

Процессы травления оксида кремния (SiO2)

Травление SiO2.

Способы травления оксида кремния. Общие сведения.

Глубокое травление SiO2 с применением ICP плазмы для волноводов

Лаборатория OIPT: анизотропное травление SiO2 глубиной 8 мкм

Травление боросиликатного стекла

Лаборатория OIPT: анизотропное травление стекла глубиной 10 мкм

Сквозное реактивное травление SiO2

Лаборатория OIPT: травление SiO2 глубиной 2 мкм с развитыми стенками для лучших условий металлизации

Реактивное ионное травление кварца

Лаборатория OIPT: ширина тренча 0,3 мкм, глубиной 1 мкм


Травление линз из кварца, SiO2 и стекла с применением ICP источника

Лаборатория OIPT: маска фоторезист, материал травления кварц

Неглубокое травление кварца (литография - импринтинг)

Лаборатория OIPT: глубина и ширина тренчей 117 нм



Травление тонких кварцевых подложек в PlasmaAstrea

Лаборатория OIPT: глубина травления кварца 500 нм


Глубокое травление кварца с применением ICP источника

Лаборатория OIPT: глубина тренчей 25 мкм


Реактивное ионное травление SiO2 с AR 5:1

Лаборатория OIPT: глубина тренчей 1 мкм, ширина линий 230 нм, впадин - 300 нм. PR удален в O2 плазме