Skip

Процессы травления кремния (Si)

Классификация способов травления кремния

Раздел с описанием классификаций способов травления кремния. Изотропное реактивное ионное травление, анизотропное реактивное ионное травление и с применением источника индуктивно связанной плазмы

Глубокое криотравление Si для МЭМС

Образец из лаборатории технического университета г. Твенте



Криотравление Si (контроль профиля)

Зависимость профиля стенок от концентрации О2, температуры и ВЧ мощности

Атомно-слоевое травление Si (atomic layer etching)

Атомно-слоевое травление Si глубиной 100нм и шириной 20нм



Травление фотонных кристаллов в Si

Лаборатория OIPT: 5мкм отверстия протравленные в Si до SiO2


Глубокое Bosch-травление Si с высоким аспектным соотношением

Образец из лаборатории OIPT: глубина 100 мкм, скорость травления 18 мкм/мин по пластине 200 мм с 1% открытой площади, селективность к фоторезисту 165 : 1



Зависимость скорости травления от аспектного соотношения (ARDE)

Типичный пример ARDE эффекта при Бош-травлении Si



Bosch-процесс, оптимизированный по разным параметрам

Bosch-процесс травления кремния с аспектным соотношением 44:1



Глубокое травление Si с наклонными стенками

Сквозное травления кремния (h=50 мкм) с настраиваемым наклоном стенок



Bosch-травление Si с высокой скоростью с применением ICP акселератора

Глубина 100 мкм, скорость травления 17 мкм/мин



Глубокое травление Si при комнатной температуре (Bosch-процесс)

Bosch-процесс травления кремния на глубину 100 мкм



Криотравление Si c НЧ смещением и применением ICP источника плазмы

СЭМ структуры, полученной криотравлением без НЧ смещения

Глубокое травление Si в PlasmaProEstrelas

Тренчи после Bosch-процесса: аспектное соотношение 80:1



Изотропное травление Si

Глубина изотропного травления Si во фторной плазме 50-100 мкм