Skip

Процессы атомно-слоевого осаждения

Атомно-слоевое осаждение титаната стронция (SrTiO3 - STO) с применением удаленного источника плазмы

Лаборатория Технического университета Эйндховена: фотография с просвечивающего микроскопа пленки STO, осажденной на Si3N4. Верхний ряд - соотношение [Sr]/([Sr]+[Ti]) = 0.54. Нижний ряд - соотношение [Sr]/([Sr]+[Ti]) = 0.60.



Атомно-слоевое осаждение оксида лантана (La2O3) с применением удаленного источника плазмы

Зависимость скорости осаждения за цикл от времени воздействия металлического прекурсора (La(THD)3) в секундах.


Плазмостимулируемое атомно-слоевое осаждение нитрида ниобия (NbN) для электродов затвора

Скорость осаждения и равномерность (по 150 мм пластине) в зависимости от времени воздействия прекурсора (TBTMEN).

Параметры измерены с помощью спектроэллипсометра. Из этого графика можно сделать вывод, что оптимальное время - 5с.

Атомно-слоевое осаждение нитрида гафния (HfN) с применением удаленного источника плазмы

молекула прекурсора: тетракис этилметиламино гафний (TEMAH) 


Атомно-слоевое осаждение нитрида титана (TiN) с применением удаленного источника плазмы

Фотография с просвечивающего электронного микроскопа (ТЕМ): Пленка TiN толщиной 110 A, осажденная методом ALD

Термическое атомно-слоевое осаждение оксида цинка (ZnO)

Конформный рост нанотрубок ZnO шириной 70 нм и длиной 100 мкм

Атомно-слоевое осаждение оксида кремния (SiО2) с применением удаленного источника плазмы

Конформное осаждение SiO2 c применением удаленного источника плазмы, аспектное соотношение тренча 30:1

Атомно-слоевое осаждение платины (Pt) - термическое и с применением удаленного источника плазмы

Лаборатория Мичиганского университета: пленка Pt толщиной 20 нм, осажденная на тренчи шириной 75 нм (аспектное соотношение после осаждения покрытия изменилось с 33 до 71).

Атомно-слоевое осаждение палладия (Pd) с применением удаленного источника плазмы

Шаг №3 при атомно-слоевом осаждении Pd: радикалы кислорода участвуют в удалении углерода из пленки.

Атомно-слоевое осаждение оксида индия (In2O3) - термическое

Фотографии с просвечивающего микроскопа (TEM): очень большой латеральный размер зерна (несколько сотен нм). Кристаллы высокого качества (низкая плотность дефектов, низкие напряжения(после отжига))