Skip

Процессы травления нитрида галия (GaN)

Травление GaN с применением ICP источника

лаборатория OIPT: анизотропное травление структуры AlGaN/GaN до подложки из сапфира

Травление AlGaN/GaN с применением ICP источника

лаборатория OIPT: глубина травления 8 мкм

Реактивное ионное травление (RIE) GaN

лаборатория Технологического Университета Эйндховена: травление GaN на глубину 1 мкм

Атомно-слоевое травление (ICP, ALE) GaN для ВЧ микроэлектроники

"Мягкое", низкоскоростное травление AlGaN повышает шероховатость поверхности всего на 0,02нм

Травление InGaN/GaN с применением ICP источника

лаборатория OIPT: анизотропное травления InGaN/ GaN

Вытравливание наностержней из GaN с применением ICP источника

лаборатория University of Bath: высота наностержней из GaN 6 мкм а) при 60 С b) при 150 С

Реактивное ионное травление GaN с гладкими боковыми стенками

лаборатория Infineon Munich, ZT KM 4: высокоанизотропное травления GaN на 2.5 мкм