Skip

Процессы травления полупроводников A3B5 и A2B6

GaAs - InP - GaN - GaP - ZnO - ZnSe - ZnS - InSb - InP/InGaAsP

Травление ионным пучком структур ​InP/ InGaAsP для зеркал с низкими потерями

На рисунке структура со следующими характеристиками: глубина травления 5 мкм (максимум 15 мкм) селективность к маске SiO2 до 30 : 1 аспектное соотношение до 10 : 1

Реактивное ионное травление ZnS

лаборатория OIPT: анизотропное травление на глубину 0.85 мкм фоторезист не смыт

Реактивное ионное травление ZnO с применением ИСП источника плазмы

лаборатория OIPT, Яттон: глубина травления 1 мкм, наклон стенок 83°

Реактивное ионное травление GaP с применением источника ИСП

лаборатория OIPT, Яттон: глубина травления 80 мкм

Реактивное ионное травление InSb и InSbAs с применением источника ИСП

С источником индуктивно связанной плазмы возможно использование плазму высокой плотности при низких энергиях ионов. Фотография со сканирующего микроскопа показывает протравленный на 20 мкм образец InSb. Этот образец был изготовлен в лаборатории OIPT на системе, оснащенной источником индуктивно связанной плазмы (ICP source)