Атомно-слоевое травление (ICP, ALE) GaN для ВЧ микроэлектроники
«Мягкое», низкоскоростное травление AlGaN повышает шероховатость поверхности всего на 0,02 нм.
Оборудование: PlasmaPro100
Особенности технологии:
Плазменный реактор с ICP (индуктивно связанна плазма) источником и комплектацией для ALE (атомно-слоевого травления)
Результаты:
Новый метод ALE может применяться прежде всего для сверхаккуратного травления. Техника быстрого переключения подачи газов обеспечивает создание на верхнем монослое поверхности специфических соединений первым шагом, и удаления этого слоя следующим шагом, оставляя следующий монослой нетронутым. Благодаря подобному подходу можно получить хорошо контролируемый, повторяемый процесс с низким повреждением поверхности.
OPT также предлагает технологии для других процессов в изготовлении ВЧ микроэлектроники:
- сквозное травление SiC с уменьшением скорости и мощности при "подходе" процесса к слою GaN;
- осаждение подзатворного диэлектрика ICP-PECVD или ALD методами.